IBM的相变存储器比闪存快100倍

　　IBM Research的科学家演示了一种新型的相变存储器，它的读写速度比闪存快100倍。

　　IBM新闻稿称，相变存储器能经受至少1千万次写周期，相比之下，企业级闪存只有3万次写周期，而消费者级闪存只有3千次写周期。IBM表示，新的相变存储器将在未来五年给企业IE和储存系统带来飞跃。研究论文在IEEE的存储器研讨会上进行了介绍。