开发板基本知识
时间：2009-04-23 来源：zhengwenwei_123
CPU:
MC9328MXL
MEMORY： 16Mx32-bit SDRAM 8Mx32-bit Flash 注意： SDRAM和以前的Memory有很大不同，体现在寻址方式上则是：
Flash：
注意到板上的两片Flash的片选信号接到了VCC，也就是说两块板上同时被选中，这样才能结合成32位的数据输出，因为一块芯片的输出线是16bit。而23根地址线就是寻址8M，所以是8Mx32-bit SDRAM：
SDRAM的寻址方式比较特别，它的寻址信号是Bx, Rx, Cx. B代表L-Bank地址编号，C代表列地址编号，R代表行地址编号。 目前的内存芯片基本上都是4个L-Bank设计，也就是说一共有4个这样的“表格”。寻址的流程也就是——先指定L-Bank地址，再指定行地址，然后指列地址最终的确寻址单元。而行线和列线是复用的。 在开发板上，有A0-A12这13根地址线，和BA0，BA1两个Bank线，也就是4个表格。一般而言，这样的规格是A0-A9复用为列线，A0-A12作为行线。那么有：1个Bank的大小＝213 x 29= 222 也就是4M，那么寻址范围是16M。注意两块芯片也是同时使用，使得输出是2*16bit,即32bit的。 因此有：16Mx32-bit。
MEMORY： 16Mx32-bit SDRAM 8Mx32-bit Flash 注意： SDRAM和以前的Memory有很大不同，体现在寻址方式上则是：
Flash：
注意到板上的两片Flash的片选信号接到了VCC，也就是说两块板上同时被选中，这样才能结合成32位的数据输出，因为一块芯片的输出线是16bit。而23根地址线就是寻址8M，所以是8Mx32-bit SDRAM：
SDRAM的寻址方式比较特别，它的寻址信号是Bx, Rx, Cx. B代表L-Bank地址编号，C代表列地址编号，R代表行地址编号。 目前的内存芯片基本上都是4个L-Bank设计，也就是说一共有4个这样的“表格”。寻址的流程也就是——先指定L-Bank地址，再指定行地址，然后指列地址最终的确寻址单元。而行线和列线是复用的。 在开发板上，有A0-A12这13根地址线，和BA0，BA1两个Bank线，也就是4个表格。一般而言，这样的规格是A0-A9复用为列线，A0-A12作为行线。那么有：1个Bank的大小＝213 x 29= 222 也就是4M，那么寻址范围是16M。注意两块芯片也是同时使用，使得输出是2*16bit,即32bit的。 因此有：16Mx32-bit。
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