IBM联合开发相变合金材料 芯片速度将快500倍

IBM联合开发相变合金材料 芯片速度将快500倍        据国外媒体报道，IBM和二个公司的科学家合伙开发出了一种颇有前途的材料，他们认为新材料制成的新类型储存芯片能够适应数字音乐、照片和视频储存容量增长的需求。

　 　IBM和计算机储存芯片制造商 Qimonda 和 Macronix的研究人员本周一在旧金山举行的国际电子装置会议上递交的技术论文中描述了这种材 料。在超过二年半的时间里，经过反复试验，他们研究出一种原料，通过反复加热它可以从无定形状态转变成一种晶体。这种化合物名为GST，或称为锗-锑-碲 相变材料。目前可以用来制造便宜的、用激光束进行阅读和书写的光盘。

　　科学家在谈到新材料的优势时表示，与目前使用的闪存相比，相变材料芯片的运行速度将快500倍，科学家开发的原型尺寸为3纳米高，20纳米宽，他们承诺未来这一技术能够使它的尺寸更小更耐用，储存单元在十万次重写后才被报废。      这个开发团队不是唯一的闪存领域的创新者，英特尔和意法半导体也在合伙开发这一技术，已经展示了128MB原型，并表示2007年推出产品。三星电子512MB原型预期在2008年推出。